3.2.10.4. Кристаллофизические методы

К ним относятся зонная плавка и вытягивание слитка из расплава. Эти методы применяют для глубокой очистки индия, используемого в полупроводниковой электронике. Индий плавят в лодочках (зонная плавка) или тиглях (метод вытягивания), изготовленных из чистого кварца или высокочистого плотного графита в вакууме или атмосфере аргона или водорода.

Фракционной кристаллизацией можно осуществить глубокую очистку индия только от примесей меди, никеля и серебра, у которых коэффициенты распределения меньше 0,1. Очистка от примесей Нg, Sn, Рb, Сd, Zn, Gа, Тi, Вi кристаллизационными методами малоэффективна вследствие близости значений коэффициентов распределения к единице. Эти примеси следует удалять другими, рассмотренными выше методами.