3.6.2. Рентгено-эмиссионный анализ

Для получения рентгеновских эмиссионных спектров вещество об- лучают первичными рентгеновскими квантами hv1 для создания вакан- сии на внутренней оболочке, эта вакансия заполняется в результате пе- рехода электрона с другой внутренней или внешней оболочки, что со- провождается излучением вторичного рентгеновского кванта hv2, кото- рый регистрируется после отражения от кристалла-анализатора или ди- фракционной решетки (рис. 3.42).

Переходам электронов с валентных оболочек (или зон) на вакан- сию на внутренней оболочке соответствуют последние линии эмисси- онного спектра. Эти линии отражают структуру валентных оболочек или зон. Согласно правилам отбора, переход на оболочки К и L1 (рис. 3.38) возможен с валентных оболочек, в формировании которых участвуют р-состояния, переход на оболочки L2 и L3 – c валентных обо-

86

лочек (или зон), в формировании которых участвуют s- и d-состояния изучаемого атома. Таким образом, можно получить представление о распределении электронов различных орбиталей изучаемого элемента по энергиям, в координационных соединениях также информацию об электронной структуре лигандов, координированных с изучаемым ато- мом.

Интенсивности линий рентгеновского эмиссионного спектра моно- кристаллов пропорциональны заселенностям уровней, с которых со- вершается переход, и, следовательно, квадратам коэффициентов линей- ной комбинации атомных орбиталей.