Глава 7. Элионные методы литографических процессов

Процессы литографии при изготовлении ИС достигли в настоящее время высокой степени совершенства. До недавнего времени широко применялась фотолитография (ФЛ), которая, к сожалению, уже достигла предела линии в 0,81 мкм. Поскольку основной концепцией микроэлектроники является дальнейшее уменьшение элементов и компонентов ИС, то вполне понятно, что для достижения указанной цели необходимо переходить к другим методам облучения резистов, используя частицы и кванты с меньшей дебройлевской длиной волны. Для этого используют электроны, протоны, ионы, другие частицы, рентгеновские кванты.

Все эти методы объединяются под одним общим названием – элионная литография.

Элионная литография позволяет расширить пределы методов литографии за счет более высокой разрешающей способности. Кроме того, за счет уменьшения длин волн по сравнению с ФЛ в элионной литографии пренебрежимо малы дифракционные и интерференционные эффекты.