620002, Екатеринбург, Мира, 19

Содержание

• 654100 – Электроника и микроэлектроника
• Оглавление
• Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
• 1.1. Основные определения
• 1.2. Классификация изделий микроэлектроники
• 1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
• 1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
• 1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
• 1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
• 1.7. Механизмы переноса носителей заряда
• Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
• 2.1. Очистка поверхности пластин для ис
• 2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
• 2.3. Термическое окисление
• 2.4. Эпитаксия
• 2.5. Фотолитография
• 2.6. Диффузия
• 2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
• 2.8. Металлизация
• Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
• 3.1. Изготовление подложек ис
• 3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
• 3.4. Шлифовка и полировка пластин
• 3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
• Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
• 4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
• 4.2. Термохимическое (газовое) травление
• 4.3. Ионно-плазменное травление
• Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
• 5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
• 5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
• 5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
• 5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
• 5.3.2. Анодное окисление
• 5.3.3. Ионно-плазменное окисление
• Глава 6. Ионное легирование полупроводников
• 6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
• Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
• 6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
• 6.3. Импульсный лазерный отжиг
• 6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
• 6.5. Маскирование фоторезистами
• 6.6. Маскирование пленками металлов
• Глава 7. Элионные методы литографических процессов
• 7.1. Электронно-лучевая литография
• 7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
• 7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
• 7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
• 7.2.3. Выбор резистов для рлл
• Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
• 8.1. Металлические пленки для ис
• 8.2. Технология коммутационных элементов ис
• 8.3. Технология пленочных резисторов
• 8.4. Чистый металл и сплавы
• 8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
• 8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
• 8.7. Монооксид кремнияSiO
• 8.8. Пятиокись тантала Та2о5
• 8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
• 8.10. Диоксид титана ТiО2
• Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
• 9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
• 9.2. Изготовление ленточных носителей
• 9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
• 9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
• 9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
• 9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
• Глава 10. Технология герметизации ис и мп
• 10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
• 10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
• 10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
• Часть вторая наноэлектроника
• Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
• 11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
• 11.2. Базовая теория кулоновской блокады
• 11.3. "Кулоновская лестница"
• 11.5. Квантовые размерные эффекты
• 11.6. Классификация одноэлектронных приборов
• 11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
• 11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
• 11.9. Применение одноэлектронных приборов
• Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
• 12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
• 12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
• 12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
• 12.4. Реакционная способность наночастиц
• 12.5. Флуктуационные наноструктуры
• 12.6. Магнитные кластеры
• 12.7. Переход от макро- к нано-
• 12.8. Полупроводниковые наночастицы
• 12.9. Кулоновский взрыв
• 12.10. Молекулярные кластеры
• 12.11. Методы синтеза наночастиц
• 12.12. Химические методы синтеза наночастиц
• 12.13. Термолиз
• 12.14. Импульсные лазерные методы
• Глава 13.Углеродные наноструктуры
• 13. 1. Природа углеродной связи
• 13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
• 13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
• 13.4. Углеродные нанотрубки
• 13.4.1. Методы получения нанотрубок
• 13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
• 13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
• 13.4.4. Механические свойства нанотрубок
• 13.5. Применение углеродных нанотрубок
• 13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
• 13.5.2. Информационные технологии, электроника
• 13.5.3. Топливные элементы
• 13.5.4. Химические сенсоры
• 13.5.5. Катализ
• 13.5.6. Механическое упрочнение материалов
• Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
• 14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
• 14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
• 14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
• 14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
• 14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
• 14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
• 14.7. Пористый кремний
• 14.8. Упорядоченные наноструктуры
• 14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
• 14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
• 14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
• Глава 15.Наноприборы и наномашины
• 15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
• 15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
• 15.3. Наноактуаторы
• 15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
• Библиографический список Основной
• Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
• 620002, Екатеринбург, Мира, 19
• 620002, Екатеринбург, Мира, 19