3.4. Шлифовка и полировка пластин
Как уже говорилось ранее, пластины после резки имеют различные типы дефектов (неплоскостность, изгиб, глубокий нарушенный слой, разброс по толщине). Поэтому необходима дальнейшая обработка подложек шлифовкой и полировкой, которые являются важным процессом для технологии изготовления любой ИС.
Шлифовка – вторая по важности операция обработки ИС, позволяющая достичь минимальных шероховатостей и неровностей подложек. Обработка осуществляется на специальных установках при помощи шлифующих материалов, обладающих большей или соизмеримой твердостью по сравнению с материалом самих подложек. Шлифовка бывает предварительной и окончательной.
В промышленности применяют два вида шлифовки:
высокоскоростная обработка кругами с закрепленным абразивом (частота вращения круга доставляет 1000 вращений в минуту, при этом происходит значительное повышение температуры образца);
малоскоростная обработка с помощью свободного абразива (влияние нагрева незначительно).
Полировка пластин. Основная цель процесса – обеспечить высокую чистоту обрабатываемой поверхности и оставить минимально нарушенный слой. Так же как и шлифовка, полировка может быть предварительной и окончательной (тонкой).
Предварительную полировку выполняют специзделиями и пастами зернистостью от 3 мкм до 1 мкм, а окончательную – субмикронными мягкими полирующими составами, при этом полированные поверхности пластин имеют 13-14 класс шероховатости.
По характеру воздействия на обрабатываемую поверхность полировка может быть:
механической (используют абразивные пасты и суспензии). Осуществляется за счет микрорезания, пластических деформаций и сглаживания. Недостатком механической полировки является остаточный «фон»;
химической (осуществляется травителями – спецрастворами). Выполняется за счет растворения материала пластины и удаления загрязнений физической и химической природы. Обычно при такой обработке стравливается от 10 мкм до 20 мкм материала пластины. Недостатком химической полировки является необходимость использования промывки и сушки;
химико-механической (осуществляется с помощью химических реакций и абразивов): а) полировка ZrO2 или SiO2 в растворах KOH или NaOH; б) ионообменная (в суспензиях азотно- или сернокислой меди, азотной кислоты, фтористого аммония за счет реакции замещения).
В случае химико-механической полировки пластины не имеют сетчатого ″фона″, а нарушенный слой не превышает 2-3 мкм. Особенно выгодна ионообменная полировка, т.к. в этом случае мы вообще получаем бездефектную поверхность, поскольку механический абразив отсутствует. Данный метод заключается в реакции восстановления меди до металла и окислении кремния согласно реакции: 2Cu2++Si0→Si4++2Cu0. Медь осаждается на поверхности пластины, а потом удаляется полировальным полотном. Одновременно окисленный кремний взаимодействует с ионами фтора: Si4++6F→SiF62-, образуя фторосиликат. Данный процесс идет непрерывно и в кислой среде с pH<5. После процесса ионно-обменной полировки пластины тщательно промывают и сушат. Несмотря на возможность получения бездефектной поверхности, этот метод не получил широкого распространения вследствие большой сложности управления реакцией ионного замещения, а также необходимости особо тщательной промывки обработанной пластины для удаления реагентов, оставшихся после реакции замещения. Тем не менее, когда к поверхности ИС предъявляются особые требования, то альтернативы методу ионной полировки пока не существует.
- 654100 – Электроника и микроэлектроника
- Оглавление
- Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- 1.1. Основные определения
- 1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- 1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- 1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- 1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- 1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- 1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- 2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- 2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- 2.3. Термическое окисление
- 2.4. Эпитаксия
- 2.5. Фотолитография
- 2.6. Диффузия
- 2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- 2.8. Металлизация
- Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- 3.1. Изготовление подложек ис
- 3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- 3.4. Шлифовка и полировка пластин
- 3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- 4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- 4.2. Термохимическое (газовое) травление
- 4.3. Ионно-плазменное травление
- Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- 5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- 5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- 5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- 5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- 5.3.2. Анодное окисление
- 5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- 6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- 6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- 6.3. Импульсный лазерный отжиг
- 6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- 6.5. Маскирование фоторезистами
- 6.6. Маскирование пленками металлов
- Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- 7.1. Электронно-лучевая литография
- 7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- 7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- 7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- 7.2.3. Выбор резистов для рлл
- Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- 8.1. Металлические пленки для ис
- 8.2. Технология коммутационных элементов ис
- 8.3. Технология пленочных резисторов
- 8.4. Чистый металл и сплавы
- 8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- 8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- 8.7. Монооксид кремнияSiO
- 8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- 8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- 8.10. Диоксид титана ТiО2
- Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- 9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- 9.2. Изготовление ленточных носителей
- 9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- 9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- 9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- 9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- 10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- 10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- 10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- Часть вторая наноэлектроника
- Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- 11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- 11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- 11.3. "Кулоновская лестница"
- 11.5. Квантовые размерные эффекты
- 11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- 11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- 11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- 11.9. Применение одноэлектронных приборов
- Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- 12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- 12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- 12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- 12.4. Реакционная способность наночастиц
- 12.5. Флуктуационные наноструктуры
- 12.6. Магнитные кластеры
- 12.7. Переход от макро- к нано-
- 12.8. Полупроводниковые наночастицы
- 12.9. Кулоновский взрыв
- 12.10. Молекулярные кластеры
- 12.11. Методы синтеза наночастиц
- 12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- 12.13. Термолиз
- 12.14. Импульсные лазерные методы
- Глава 13.Углеродные наноструктуры
- 13. 1. Природа углеродной связи
- 13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- 13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- 13.4. Углеродные нанотрубки
- 13.4.1. Методы получения нанотрубок
- 13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- 13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- 13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- 13.5. Применение углеродных нанотрубок
- 13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- 13.5.2. Информационные технологии, электроника
- 13.5.3. Топливные элементы
- 13.5.4. Химические сенсоры
- 13.5.5. Катализ
- 13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- 14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- 14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- 14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- 14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- 14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- 14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- 14.7. Пористый кремний
- 14.8. Упорядоченные наноструктуры
- 14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- 14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- 14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- Глава 15.Наноприборы и наномашины
- 15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- 15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- 15.3. Наноактуаторы
- 15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- Библиографический список Основной
- Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19