12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
Обычно кристаллическая структура наночастицы точно такая же, как и у объемного материала аналогичного химического состава, но с несколько отличающимися параметрами решетки. Рентгеновская дифракция для частицы алюминия размером ~80 нм показывает элементарную ячейку ГЦК-решетки точно такую же, как и у объемного алюминия. Однако в некоторых случаях малые частицы (≤5 нм) могут иметь совсем непохожую структуру. Подобная ситуация характерна, например, для наночастиц Au. Для Au-частиц такого размера все атомы, составляющие нанокластер, находятся на поверхности данной частицы (см. рис. 12.10).
Указанный факт оказывает сильное влияние на многие свойства нанокластера – колебательные уровни, стабильность, химическую активность. В качестве примера в табл. 12.1 приведены некоторые характеристики объемного образца и кластера алюминия.
Таблица 12.1
Кластер Al13 | Объемный Al | Характеристика |
2,77 | 3,39 | Энергия связи, эВ |
2,814 | 2,86 | Межатомное расстояние, Ǻ |
Когда атомы формируют кристаллическую решетку, то их дискретные энергетические уровни размываются в энергетические зоны. Термин ″плотность состояний″ означает количество энергетических уровней в заданном интервале энергий. В металлах верхняя энергетическая зона заполнена не до конца. В случае полупроводника верхняя энергетическая зона называется валентной, заполнена до конца и отделяется от следующей зоны энергетическим промежутком, называемым ″запрещенной зоной″ или ″щелью″. Когда частица металла принимает размеры нескольких сотен атомов, то плотность состояний в верхней зоне – зоне проводимости, содержащей, как известно, электроны, – кардинально меняется, а именно: непрерывная плотность состояний в зоне заменяется набором дискретных уровней, интервалы между которыми могут оказаться больше, чем Е = kБТ, что приводит к образованию щели.
Схематично изменения электронной структуры при переходе от объемного кристалла к большому кластеру, а затем к маленькому можно изобразить следующим образом (см. рис.12.5).
Заметим, что маленький кластер аналогичен молекуле с её дискретным набором энергетических уровней, связывающими и антисвязывающими орбиталями. В конце концов, можно уменьшить кластер до размеров, при которых расстояние между противоположными ″гранями″ приблизится к длине волны электрона. В данном случае энергетические уровни могут быть получены путем решения квантовой задачи о частице в потенциальном ящике. Описанная ситуация называется ″квантовым размерным эффектом″.
=> | => | |||
Объемный металл |
| Большой металлический кластер (~ 100 атомов) |
| Маленький металлический кластер (~ 3-5 атомов) |
Рис. 12.5. Изменение электронной структуры материала при переходе от объемного кристалла к нанокластерам различных размеров
Появление новых электронных свойств можно понять в терминах принципа неопределенности Гейзенберга, утверждающего, что чем лучше электрон локализован в пространстве, тем шире будет диапазон определения его импульса, т.е. менее точно представляется возможным определить его импульс.
Интересно так же отметить, что квантовый размерный эффект появляется в полупроводниках при значительно больших размерах кластера, чем в металлах вследствие большей длины волны электронов и дырок в полупроводниках.
Для справки: в полупроводниках длина волны де Бройля электрона может достигать микрона, в то время как в металлах она составляет порядка 0,5 нм.
Теперь кратко рассмотрим вопрос о цвете наноматериала. Как известно, цвет определяется длиной световых волн, которые поглощает и отражает материал. Поглощение происходит вследствие возбуждения электронов фотонами падающего света с нижних заполненных энергетических уровней облучаемого материала на незаполненные верхние. Очевидно, что нанокластеры разных размеров имеют разную электронную структуру и, соответственно, разные расстояния между энергетическими уровнями. Например, для кластеров из атомов бора вид энергетических уровней будет таким, как показано на рис. 12.6.
Рис. 12.6. Вид энергетических уровней нанокластеров,
состоящих из различного числа атомов В
Индуцированные светом электронные переходы между этими уровнями и будут определять цвет материала. Это означает, что кластеры разных размеров могут отличаться по цвету и размер кластера можно использовать при проектировании цвета наноматериалов (например, данная особенность используется при производстве нанолаков и нанокрасок компанией Даймлер-Крайслер АГ).
Рис. 12.7. Пример УФ-спектров валентной полосы для Cu 20 и Cu 40
Перечисленные отличия нанокластеров в энергетическом строении вследствие разного количества атомов, составляющих кластер, находят
свое отражение и в спектроскопии.
Из рис. 12.7 видно, что фотоэлектронные УФ-спектры валентной полосы наночастиц меди, состоящих из 20 и 40 атомов, сильно отличаются. Данную спектральную особенность можно использовать для идентификации нанокластерных группировок различной размерности.
- 654100 – Электроника и микроэлектроника
- Оглавление
- Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- 1.1. Основные определения
- 1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- 1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- 1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- 1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- 1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- 1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- 2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- 2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- 2.3. Термическое окисление
- 2.4. Эпитаксия
- 2.5. Фотолитография
- 2.6. Диффузия
- 2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- 2.8. Металлизация
- Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- 3.1. Изготовление подложек ис
- 3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- 3.4. Шлифовка и полировка пластин
- 3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- 4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- 4.2. Термохимическое (газовое) травление
- 4.3. Ионно-плазменное травление
- Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- 5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- 5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- 5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- 5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- 5.3.2. Анодное окисление
- 5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- 6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- 6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- 6.3. Импульсный лазерный отжиг
- 6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- 6.5. Маскирование фоторезистами
- 6.6. Маскирование пленками металлов
- Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- 7.1. Электронно-лучевая литография
- 7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- 7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- 7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- 7.2.3. Выбор резистов для рлл
- Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- 8.1. Металлические пленки для ис
- 8.2. Технология коммутационных элементов ис
- 8.3. Технология пленочных резисторов
- 8.4. Чистый металл и сплавы
- 8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- 8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- 8.7. Монооксид кремнияSiO
- 8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- 8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- 8.10. Диоксид титана ТiО2
- Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- 9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- 9.2. Изготовление ленточных носителей
- 9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- 9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- 9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- 9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- 10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- 10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- 10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- Часть вторая наноэлектроника
- Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- 11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- 11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- 11.3. "Кулоновская лестница"
- 11.5. Квантовые размерные эффекты
- 11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- 11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- 11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- 11.9. Применение одноэлектронных приборов
- Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- 12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- 12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- 12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- 12.4. Реакционная способность наночастиц
- 12.5. Флуктуационные наноструктуры
- 12.6. Магнитные кластеры
- 12.7. Переход от макро- к нано-
- 12.8. Полупроводниковые наночастицы
- 12.9. Кулоновский взрыв
- 12.10. Молекулярные кластеры
- 12.11. Методы синтеза наночастиц
- 12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- 12.13. Термолиз
- 12.14. Импульсные лазерные методы
- Глава 13.Углеродные наноструктуры
- 13. 1. Природа углеродной связи
- 13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- 13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- 13.4. Углеродные нанотрубки
- 13.4.1. Методы получения нанотрубок
- 13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- 13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- 13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- 13.5. Применение углеродных нанотрубок
- 13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- 13.5.2. Информационные технологии, электроника
- 13.5.3. Топливные элементы
- 13.5.4. Химические сенсоры
- 13.5.5. Катализ
- 13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- 14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- 14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- 14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- 14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- 14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- 14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- 14.7. Пористый кремний
- 14.8. Упорядоченные наноструктуры
- 14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- 14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- 14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- Глава 15.Наноприборы и наномашины
- 15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- 15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- 15.3. Наноактуаторы
- 15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- Библиографический список Основной
- Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19