13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
Наиболее интересное свойство нанотрубок заключается в том, что они могут быть металлическими или полупроводниковыми в зависимости от их диаметра и хиральности. Термин хиральность относится к направлению сворачивания трубки относительно графитового листа.
Как уже было отмечено ранее, в результате синтеза обычно получается смесь трубок, 2/3 которых имеют полупроводниковые свойства и 1/3-металлические. Металлические трубки обычно имеют кресельную структуру.
Рис. 13.7. Зависимость значения запрещенной зоны
(энергетической щели) от обратного диаметра нанотрубки
В полупроводниковых трубках, например, имеет место четкая взаимосвязь между размером запрещенной зоны и обратным диаметром трубки. График зависимости, как правило, линейный, а угол его наклона определяется типом материала трубки (легированная или нет, чем легирована и т.д.).
При исследовании электронной структуры углеродных нанотрубок используется сканирующая туннельная микроскопия. В таких измерениях положение зонда фиксируется над нанотрубкой и регистрируется зависимость туннельного тока I от напряжения U между зондом и нанотрубкой. Найденная таким образом проводимость G = I/U напрямую связана с локальной плотностью электронных состояний – она является мерой того, насколько близко уровни энергии лежат друг к другу.
Рис. 13.8. Вольт-амперная характеристика металлической
и полупроводниковой нанотрубок
( – диффузионная проводимость)
Из графика на рис. 13.8 (правая часть) видно, что есть область малых приращений тока и это соответствует энергетической щели в спектре электронных состояний. Ширина участка напряжения области с минимальной диффузионной проводимостью и есть мера щели. В случае, приведенном на рис. 13.8, она составляет порядка 0,7 эВ. Острые пики при больших напряжениях называются сингулярностями Ван Хоффа и характерны для проводящих материалов низкой размерности.
Если длина волны электрона не укладывается в целое число раз на длине окружности трубки, она интерферирует сама с собой с дальнейшим затуханием, что сильно ограничивает число состояний, пригодных для проводимости. При этом доминирующим направлением для проводимости остается направление вдоль трубки.
Исследования транспорта электронов на отдельных однослойных нанотрубках дали следующие результаты: при Т = 0,001 К у металлической нанотрубки в вольт-амперной характеристике (ВАХ) появляются ступеньки – ״кулоновская лестница״. Интересно, что такая форма ВАХ характерна для полевого транзистора. Ступеньки ВАХ являются следствием одноэлектронного туннелирования через отдельные молекулярные орбитали, а изменение тока на каждой ступеньке связано с добавление одной молекулярной орбитали. Это означает, что электроны в нанотрубке не являются сильно локализованными, а ״размазаны״ на большом расстоянии вдоль трубки. Даже дефект, обычно приводящий к локализации электронов, не приводит к ней в этом случае, потому что влияние дефекта усредняется по всему периметру трубки. Такая ситуация происходит вследствие того, что волновая функция имеет вид ״пончика״, т.е. является тороидальной.
В металлическом состоянии проводимость нанотрубок очень высока. Теоретически они могут пропускать порядка миллиарда ампер на квадратный сантиметр. Для справки: медный провод выходит из строя уже при миллионе ампер на квадратный сантиметр вследствие расплавления провода из-за джоулева нагрева.
Причиной такой идеальной проводимости нанотрубок является очень малое количество дефектов, которые вызывают рассеяние электронов. Малое количество дефектов влечет за собой очень низкое сопротивление, поэтому большие токи не нагревают трубку, как это происходит в случае медного провода.
- 654100 – Электроника и микроэлектроника
- Оглавление
- Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- 1.1. Основные определения
- 1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- 1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- 1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- 1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- 1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- 1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- 2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- 2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- 2.3. Термическое окисление
- 2.4. Эпитаксия
- 2.5. Фотолитография
- 2.6. Диффузия
- 2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- 2.8. Металлизация
- Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- 3.1. Изготовление подложек ис
- 3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- 3.4. Шлифовка и полировка пластин
- 3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- 4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- 4.2. Термохимическое (газовое) травление
- 4.3. Ионно-плазменное травление
- Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- 5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- 5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- 5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- 5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- 5.3.2. Анодное окисление
- 5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- 6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- 6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- 6.3. Импульсный лазерный отжиг
- 6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- 6.5. Маскирование фоторезистами
- 6.6. Маскирование пленками металлов
- Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- 7.1. Электронно-лучевая литография
- 7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- 7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- 7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- 7.2.3. Выбор резистов для рлл
- Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- 8.1. Металлические пленки для ис
- 8.2. Технология коммутационных элементов ис
- 8.3. Технология пленочных резисторов
- 8.4. Чистый металл и сплавы
- 8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- 8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- 8.7. Монооксид кремнияSiO
- 8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- 8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- 8.10. Диоксид титана ТiО2
- Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- 9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- 9.2. Изготовление ленточных носителей
- 9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- 9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- 9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- 9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- 10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- 10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- 10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- Часть вторая наноэлектроника
- Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- 11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- 11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- 11.3. "Кулоновская лестница"
- 11.5. Квантовые размерные эффекты
- 11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- 11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- 11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- 11.9. Применение одноэлектронных приборов
- Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- 12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- 12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- 12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- 12.4. Реакционная способность наночастиц
- 12.5. Флуктуационные наноструктуры
- 12.6. Магнитные кластеры
- 12.7. Переход от макро- к нано-
- 12.8. Полупроводниковые наночастицы
- 12.9. Кулоновский взрыв
- 12.10. Молекулярные кластеры
- 12.11. Методы синтеза наночастиц
- 12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- 12.13. Термолиз
- 12.14. Импульсные лазерные методы
- Глава 13.Углеродные наноструктуры
- 13. 1. Природа углеродной связи
- 13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- 13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- 13.4. Углеродные нанотрубки
- 13.4.1. Методы получения нанотрубок
- 13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- 13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- 13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- 13.5. Применение углеродных нанотрубок
- 13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- 13.5.2. Информационные технологии, электроника
- 13.5.3. Топливные элементы
- 13.5.4. Химические сенсоры
- 13.5.5. Катализ
- 13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- 14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- 14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- 14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- 14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- 14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- 14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- 14.7. Пористый кремний
- 14.8. Упорядоченные наноструктуры
- 14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- 14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- 14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- Глава 15.Наноприборы и наномашины
- 15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- 15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- 15.3. Наноактуаторы
- 15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- Библиографический список Основной
- Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19