6.5. Маскирование фоторезистами

Маскирование фоторезистами применяется в тех случаях, когда имплантацию проводят при низких температурах, например, меньше 100°С. При этом маску следует удалять еще до отжига. Однако при дозах имплантации выше 10¹⁴ ион/см² происходит частичная полимеризация фоторезиста – он становится труднорастворимым в обычных растворителях. Тогда его удаляют либо ионно-плазменным травлением, либо обработкой в горячей серной кислоте. Пробег ионов в фоторезистах обычно больше, чем в пленках SiO₂. Поэтому необходимо использовать более толстые слои фоторезиста (>0,5мкм).