14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
Одним из примеров использования нанотехнологий является цветное витражное стекло средневековых соборов. Это стекло представляет собой аморфную прозрачную массу с включениями в виде наноразмерных металлических частиц. Стёкла, содержащие небольшое количество диспергированных нанокластеров, демонстрируют разнообразие необычных оптических свойств с широкими возможностями применения. Длина волны максимального оптического поглощения, определяющая цвет стекла, зависит от размера и типа металлических частиц. На рис. 14.13 представлен пример влияния размера наночастиц Au на оптический спектр поглощения кварцевого стекла в видимом диапазоне. Видно, что при уменьшении размеров наночастиц с 80 до 20 нм пик оптического поглощения смещается в область более коротких длин волн. Причиной описанного поведения является плазменное поглощение света в металлических наночастицах.
При очень высоких частотах электроны проводимости в металлах ведут себя как плазма – электрически нейтральный ионизированный газ, в котором отрицательными зарядами являются подвижные электроны, а положительный заряд остается на неподвижных атомах решетки. Если кластеры имеют размеры меньше длины волны падающего света и могут рассматриваться как невзаимодействующие друг с другом, то электромагнитная волна вызывает колебания электронной плазмы, приводящие к ее поглощению.
Рис. 14.13. Влияние размера наночастиц Аu на оптический
спектр поглощения кварцевого стекла
Для вычисления зависимости коэффициента поглощения от длины волны можно использовать теорию, развитую Ми (Mie). Коэффициент поглощения α маленькой сферической частицы металла, находящейся в непоглощающей среде, задается как
α = (18πNsVn0 ε23/λ)/[ε1+2n02]2, (14.2)
где Ns - концентрация сфер объемом V; ε1 ,ε2 – действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости сфер; n0 – показатель преломления непоглощающей среды; λ – длина падающего света.
Другим важным свойством композитных металлизированных стекол является их оптическая нелинейность, т.е. зависимость показателей преломления от интенсивности падающего света. Такие стекла имеют существенную восприимчивость третьего порядка, что приводит к следующему виду зависимости показателя преломления n от интенсивности падающего света I: n1 = n0+n2I. Нелинейные оптические эффекты могут использоваться при создании оптических ключей, которые могли бы стать основными элементами фотонного компьютера. Когда размеры частиц уменьшаются до 10 нм, то начинают играть роль эффекты квантовой локализации, которые существенно изменяют оптические характеристики материала.
Самый простой метод получения композитных металлизированных стекол состоит в добавлении металлических частиц к расплаву компонентов стекла. Однако при этом сложно управлять свойствами стекла, зависящими от степени агрегатированности частиц. Поэтому были разработаны более контролируемые процессы, такие как ионная имплантация. При имплантации стекло обрабатывается ионным пучком, состоящим из атомов имплантируемого металла при энергиях от 10 кэВ до 10 МэВ.
Для внедрения металлических частиц в стекло используется также ионный обмен. На рис. 14.14 показана экспериментальная установка для введения частиц серебра в стекло путем ионного обмена. Одновалентные приповерхностные атомы, например, Na+, присутствующий в приповерхностных слоях во всех стеклах, замещается другими ионами, например, Ag+. Для этого стеклянная основа помещается в расплав соли, находящийся между электродами, к которым приложено напряжение указанной на рисунке полярности. Ионы Na+ в стекле диффундируют к отрицательному
Рис. 14.14. Схема ионно-обменной установки
электроду, а ионы серебра диффундируют из серебросодержащего электролита на поверхность стекла.
- 654100 – Электроника и микроэлектроника
- Оглавление
- Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- 1.1. Основные определения
- 1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- 1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- 1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- 1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- 1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- 1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- 2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- 2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- 2.3. Термическое окисление
- 2.4. Эпитаксия
- 2.5. Фотолитография
- 2.6. Диффузия
- 2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- 2.8. Металлизация
- Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- 3.1. Изготовление подложек ис
- 3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- 3.4. Шлифовка и полировка пластин
- 3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- 4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- 4.2. Термохимическое (газовое) травление
- 4.3. Ионно-плазменное травление
- Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- 5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- 5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- 5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- 5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- 5.3.2. Анодное окисление
- 5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- 6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- 6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- 6.3. Импульсный лазерный отжиг
- 6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- 6.5. Маскирование фоторезистами
- 6.6. Маскирование пленками металлов
- Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- 7.1. Электронно-лучевая литография
- 7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- 7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- 7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- 7.2.3. Выбор резистов для рлл
- Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- 8.1. Металлические пленки для ис
- 8.2. Технология коммутационных элементов ис
- 8.3. Технология пленочных резисторов
- 8.4. Чистый металл и сплавы
- 8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- 8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- 8.7. Монооксид кремнияSiO
- 8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- 8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- 8.10. Диоксид титана ТiО2
- Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- 9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- 9.2. Изготовление ленточных носителей
- 9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- 9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- 9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- 9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- 10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- 10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- 10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- Часть вторая наноэлектроника
- Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- 11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- 11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- 11.3. "Кулоновская лестница"
- 11.5. Квантовые размерные эффекты
- 11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- 11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- 11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- 11.9. Применение одноэлектронных приборов
- Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- 12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- 12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- 12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- 12.4. Реакционная способность наночастиц
- 12.5. Флуктуационные наноструктуры
- 12.6. Магнитные кластеры
- 12.7. Переход от макро- к нано-
- 12.8. Полупроводниковые наночастицы
- 12.9. Кулоновский взрыв
- 12.10. Молекулярные кластеры
- 12.11. Методы синтеза наночастиц
- 12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- 12.13. Термолиз
- 12.14. Импульсные лазерные методы
- Глава 13.Углеродные наноструктуры
- 13. 1. Природа углеродной связи
- 13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- 13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- 13.4. Углеродные нанотрубки
- 13.4.1. Методы получения нанотрубок
- 13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- 13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- 13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- 13.5. Применение углеродных нанотрубок
- 13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- 13.5.2. Информационные технологии, электроника
- 13.5.3. Топливные элементы
- 13.5.4. Химические сенсоры
- 13.5.5. Катализ
- 13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- 14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- 14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- 14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- 14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- 14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- 14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- 14.7. Пористый кремний
- 14.8. Упорядоченные наноструктуры
- 14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- 14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- 14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- Глава 15.Наноприборы и наномашины
- 15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- 15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- 15.3. Наноактуаторы
- 15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- Библиографический список Основной
- Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19
- 620002, Екатеринбург, Мира, 19