2.5. Фотолитография

Фотолитография служит для получения заданного расположения и конфигурации элементов в ИС. Процесс содержит несколько основных этапов, которые, как правило, одинаковы во всех стадиях вне зависимости от типа структурной технологической схемы.

Суть метода состоит в следующем: сначала на исходную пластину с использованием центрифуги наносится резист (фото- или электрочувствительный материал). Центрифугирование применяется для формирования тонкой однородной пленки. После этого проводится процесс сушки для удаления растворителей с помощью ИК, СВЧ или резистивных нагревателей.

Далее производится экспонирование всей пластины, на которую был предварительно нанесен фотошаблон – негативное или позитивное изображение оригинала (структурного слоя ИС). Фотошаблоны делятся на эталонные, промежуточные, рабочие.

Рис. 2.4. Схематичное изображение метода фотолитографии

Экспонирование проводится с целью создания скрытого изображения топологии в пленке резиста. После экспонирования необходимо проявить изображение, т.е. селективно удалить или экспонированные области резиста (позитивный резист) или неэкспонированные области (негативный резист). В результате остается маска для травления и металлизации ИС (рис.2.5).

Рис. 2.5. Вид заготовки ИС после экспонирования

Травление широко используется в технологии изготовления ИС. Его цель – удалить именно те участки слоя, которые оказались оголенными после процесса проявления.

На заключительном этапе фотолитографии выполняется финишная термообработка (задубливание) для закрепления изображения на пластине. Финишная термообработка проводится тем же методом, что и сушка, т.е. с помощью СВЧ или ИК источников.

Совершенствование процесса фотолитографии происходит путем замены контактной фотопечати проекционной. Наиболее перспективным является применение рентгеновской и электронной литографии.