23. Языки программирования логических контроллеров

Для программирования ПЛК используются стандартизированные языки МЭК (IEC) стандарта IEC61131-3

• Языки программирования для инженеров по автоматизации (графические)

  • LD — Язык релейных схем — самый распространённый язык для PLC

  • FBD — Язык функциональных блоков — 2-й по распространённости язык для PLC

  • SFC — Язык диаграмм состояний — используется для программирования автоматов

  • CFC — Не сертифицирован IEC61131-3, дальнейшее развитие FBD

• Языки для программистов ПЛК (текстовые)

  • IL — Ассемблер

  • ST — Паскале-подобный язык

Структурно в IEC61131-3 среда исполнения представляет собой набор ресурсов (в большинстве случаев это и есть ПЛК, хотя некоторые мощные компьютеры под управлением многозадачных ОС представляют возможность запустить несколько программ типа softPLC и имитировать на одном ЦП несколько ресурсов). Ресурс предоставляет возможность исполнять задачи. Задачи представляют собой набор программ. Задачи могут вызываться циклически, по событию, с максимальной частотой.

Программа — это один из типов программных модулей POU. Модули (Pou) могут быть типа программа, функциональный блок и функция.

• В некоторых случаях для программирования ПЛК используются нестандартные языки, например:

  • Блок-схемы алгоритмов

  • Си-ориентированная среда разработки программ для ПЛК.

  • HiGraph 7 — язык управления на основе графа состояний системы.

СУУ. 1.Приборы силовой электроники.

Приборы силовой электроники делятся на:

-полевые транзисторы MOSFET

-биполярные транзисторы и их модернизируемый вариант,коммутируемые по затвору,запираемые тиристоры

-биполярные транзисторы с изолированным затвором(малая мощность управления и малые коммутационные потери,низкое прямое падение напряжения)

Устройства и особенности работы биполярных транзисторов с изолированным затвором.IGBT-полностью управляемый полупроводниковый прибор,в основе которого лежит трехслойная труктура.

Состоит из 2-х транзисттров-полевой и биполярный.Сочетание 2-х приборов в одной структуре позволило объединить достоинства высокой токовой нагрузки и малым сопротивлением.Для IGBT с U=600...1200B в в полностью в включенном состоянии прямое падение напряжения так же как и для биполярных транзисторов находится в интервале 1,5-3В.Это значительное падение в отличии от MOSFET. MOSFET имеют более низкое значение напряжение во включенном состоянии и остаются непревзойденными в этом отношении.По быстродействию IGBT уступают MOSFET,но значительно превосходят биполярные.Область безопасной работы IGBT позволяет обеспечить его безопасную работу без применения дополнительных цепей формирования подключения при частоте 10-20 Гц,для модуля в несколько сотен ампер,таким качеством не обладают БТ,соединенные по схеме Дарлинтона. Ток управления IGBT мал,поэтому цепь управления –драйвер..В IGBT предусматривается система управления ШИМ.