6.4. Маскирование в процессах ионного легирования

Маскирование пленками SiO₂ и Si₃N₄ обычно наиболее удобно в производстве, поскольку это самые распространенные материалы практически во всех процессах ИС. Очевидно, что в зависимости от того, какой полупроводниковый материал маскируется, следует выбирать тот или иной метод получения маски. Так, если для кремния подходят все известные методы маскирования, то для арсенида галлия – только низкотемпературные (анодирование, термовакуумное испарение, химическое осаждение). При больших дозах имплантации может заметно изменяться растворимость маскирующих пленок, например, при имплантации ионов алюминия в SiO₂ образуются смешанные слои SiO₂-Al₂O₃, которые значительно хуже растворяются, чем чистый SiO₂. В некоторых случаях наоборот скорость растворения резко возрастает с увеличением дозы имплантации. Причиной повышения скорости растворения являются радиационные дефекты, уменьшающие прочность связи атомов в кристалле. Отжиг, как правило, приводит к восстановлению первоначальной скорости растворения.