9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис

Стандартные полупроводниковые пластины кристаллов ИС нельзя непосредственно прикрепить к ленточному носителю без предварительной подготовки. Такая подготовка заключается в том, что на контактные площадки ИС наносятся специальные (барьерные) многослойные структуры. Поверх многослойной структуры формируются внешние выводы – контактные столбики кристалла ИС в виде бугорка площадью 5050 мкм и высотой от 10 до 20 мкм.

Барьерные многослойные структуры препятствуют диффузии золота (или меди) в кремний, а бугорки позволяют производить автоматический монтаж кристаллов ИС на любой носитель, в том числе и ленточный.

В настоящий момент существуют два варианта формирования выводов ИС, изготовленной на пластине кремния (рис. 9.4, а, б).

а

б

Рис. 9.4. Варианты формирования выводов ИС на пластине кремния

Контактные столбики на кремниевом кристалле ИС обычно изготовляют из следующих материалов:

Таблица 9.1

Материалы для изготовления контактов на кремниевом кристалле ИС

Собственно, процесс изготовления столбиковых выводов заключается в осаждении меди из электролитов на отдельные пробельные участки в маскирующем слое фоторезиста. Локальное покрытие осуществляется на подслой из медной пленки, полученный вакуумным напылением.

Основное требование к покрытию – сохранение формы и размеров покрываемых контактных площадок.

После выбора электролита и условий электроосаждения меди необходимо оценивать формируемые столбиковые выводы по чистоте и шероховатости поверхности, их сцеплению с основой.