Глава 10. Технология герметизации ис и мп. Kopia_UChEBNIK_D_Zatsepina_28_11_08

Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае

6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв

6.3. Импульсный лазерный отжиг

6.4. Маскирование в процессах ионного легирования

6.5. Маскирование фоторезистами

6.6. Маскирование пленками металлов

Глава 7. Элионные методы литографических процессов

7.1. Электронно-лучевая литография

7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)

7.2.1. Особенности экспонирования в рлл

7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов

7.2.3. Выбор резистов для рлл

Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов

8.1. Металлические пленки для ис

8.2. Технология коммутационных элементов ис

8.3. Технология пленочных резисторов

8.4. Чистый металл и сплавы

8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)

8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов

8.7. Монооксид кремнияSiO

8.8. Пятиокись тантала Та2о5

8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2

8.10. Диоксид титана ТiО2

Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса

9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа

9.2. Изготовление ленточных носителей

9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис

9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту

9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок

9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров

Глава 10. Технология герметизации ис и мп

10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис

10.2. Принципы герметизации ис в корпусах

10.3. Герметизация ис в металлических корпусах

Часть вторая наноэлектроника

Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы

11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)

11.2. Базовая теория кулоновской блокады

11.3. "Кулоновская лестница"

11.5. Квантовые размерные эффекты

11.6. Классификация одноэлектронных приборов

11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа

11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)

11.9. Применение одноэлектронных приборов

Глава 12. Наночастицы и нанокластеры

12.1. Свойства наночастиц и их характеристики

12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)

12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров

12.4. Реакционная способность наночастиц

12.5. Флуктуационные наноструктуры

12.6. Магнитные кластеры

12.7. Переход от макро- к нано-

12.8. Полупроводниковые наночастицы

12.9. Кулоновский взрыв

12.10. Молекулярные кластеры

12.11. Методы синтеза наночастиц

12.12. Химические методы синтеза наночастиц

12.13. Термолиз

12.14. Импульсные лазерные методы

Глава 13.Углеродные наноструктуры

13. 1. Природа углеродной связи

13.2. Малые углеродные кластеры – с60.

13.3. Неуглеродная шарообразная молекула

13.4. Углеродные нанотрубки

13.4.1. Методы получения нанотрубок

13.4.2. Электрические свойства нанотрубок

13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок

13.4.4. Механические свойства нанотрубок

13.5. Применение углеродных нанотрубок

13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование

13.5.2. Информационные технологии, электроника

13.5.3. Топливные элементы

13.5.4. Химические сенсоры

13.5.5. Катализ

13.5.6. Механическое упрочнение материалов

Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные

14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур

14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов

14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов

14.4. Многослойные наноструктурированные материалы

14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов

14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении

14.7. Пористый кремний

14.8. Упорядоченные наноструктуры

14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах

14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц

14.8.3. Нанокристаллы для фотоники

Глава 15.Наноприборы и наномашины

15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)

15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)

15.3. Наноактуаторы

15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели

Библиографический список Основной

Физические основы технологии микро- и наноэлектроники

620002, Екатеринбург, Мира, 19