2.8. Металлизация

Данная операция является одной из заключительных в процессе изготовления ИС. Металлизацией называют процесс создания внутрисхемных соединений. Для этих целей используют тонкие металлические пленки. Такая пленка должна обеспечивать невыпрямляющий контакт с полупроводником, иметь хорошую адгезию с материалом подложки и обладать низким удельным сопротивлением.

Обычно в качестве материалов для этих целей используют Au, Ni, Pb, Ar, Cr, Сu, Al, а иногда – системы типа Cr-Au, Ti-Au, Mo-Au и т.п.

В последнее время для коммутации элементов ИС наряду с металлической медью все более широко используется Al. Преимущества данного металла состоят в следующем:

• поскольку с его помощью можно изготовить структуры с металлизацией одним типом металла, что упрощает технологию;

• имеет высокую проводимость, близкую к проводимости объемного материала;

• хорошо испаряется в вакууме;

• образует низкоомные контакты;

• материалы подложки, попавшие в Al, почти не уменьшают его проводимость;

• выдерживает циклические изменения температуры;

• достаточно стоек к радиации;

• сравнительно дешев.