logo
РМ текст лекций

А) Равна подвижности дырок

б) Меньше подвижности дырок

в) Больше подвижности дырок (+)

  1. Рабочая температура полупроводниковых приборов:

а) Определяется механическими и тепловыми свойствами

б) Зависит от температурного коэффициента уд. электрического сопротивления

в) Зависит от ширины запрещенной зоны (+)

  1. Частотные характеристики на основе полупроводников зависят главным образом от:

а) Подвижности носителей заряда (+)

б) Ширины запрещенной зоны

в) Степени легирования полупроводника

  1. Наибольшее практическое применение для изготовления полупроводниковых дискретных приборов находят:

а) Поликристаллы кремния

б) Аморфный кремний

в) Монокристаллы кремния (+)

  1. Чему равен верхний предел рабочих температур приборов на основе германия, (кремния)?

а) 200 оС (70 оС)

б) 200 оС (400 оС)

в) 70 оС (200 оС) (+)

  1. Какую группу приборов принципиально невозможно изготовить из кремния и германия?

а) Диоды, тиристоры, солнечные батареи

б) Диоды, датчики Холла, транзисторы

в) Фотодиоды, светодиоды, туннельные диоды (+)

  1. Имеется два образца германия. При нормальных условиях 1-й образец имеет удельное электрическое сопротивление – 0.47 Ом∙м: 2-й – 0.07 Ом∙м. Какой из этих образцов был легирован примесью?

а) 1-й

б) 2-й (+)

в) Этих сведений недостаточно

  1. Удельная проводимость полупроводника n-типа в области низких температур определяется:

а) Собственной электропроводностью

б) Примесной электропроводностью

в) Это зависит от соотношения ширины запрещенной зоны и тепловой энергии носителей заряда при данной температуре. (+)

  1. Температурный коэффициент сопротивления полупроводников:

а) Имеет отрицательный знак (+)

б) Имеет положительный знак

в) Знакопеременная величина

  1. Какими носителями заряда обусловлен обратный ток p-n перехода?

а) Основными носителями заряда

б) Собственными носителями заряда

в) Не основными носителями заряда (+)

  1. p-n переход можно использовать для создания конденсатора переменной емкости, если он включен:

а) В обратном направлении (+)

б) В прямом направлении

в) При наличии диэлектрической пленки между p и n областями

  1. Свойства p-n –перехода не используют при создании следующих приборов:

а) Фоторезисторов, тензорезисторов (+)

б) Полупроводниковых лазеров, солнечных батарей

в) Диодов, транзисторов, тиристоров

  1. Цвет излучения полупроводниковых светодиодов определяется: