11.3.3. Физические основы процессов диффузии
Общее решетке уравнения диффузии в случае неограниченного тела
Решая уравнения (11.3.2), как отмечалось, для каждого конкретного случая можно определить диффузионный профиль в любой момент времени t. Применив метод разделения переменных (в общем случае для неограниченного тела), можно получить следующее выражение:
где f(x)—начальное распределение концентраций, равное N(x,0). С практической точки зрения интерес представляют два частных случая, характеризующие в какой-то мере две стадии диффузии, применяемые в технологии изготовления элементов ИС.
Первый случай представляет собой диффузию примеси от поверхности с постоянной концентрацией или диффузию из источника неограниченной мощности. Поверхностная концентрация в этих условиях остается постоянной, а граничные условия при этом можно записать как
N(x, 0)=0, х≥0;
N(0, t)=N0, t≥0. (11.3.5)
Решение (11.3.4) в этом случае принимает следующий вид:
где erfc означает дополнительную функцию ошибок. Распределение примесей в соответствии с уравнением (11.3.6) показано на рис. 11.3.2.
Рассмотренный пример реализуется обычно при малых поверхностных концентрациях примеси no и больших глубинах диффузии.
Рассмотрим второй случай, который называется диффузией из ограниченного источника. В этом случае начальное распределение концентрации примеси в окрестности некоторой точки а имеет постоянное значение N0, а за ее пределами обращается в нуль:
Общее решение уравнения (11.3.4) при этом примет следующий вид:
(11.3.8)
К
(11.3.9)
Распределение (11.3.9), представленное на рис. 11.3.2, обычно называют гауссовским распределением. Последнее решение в практике легирования имеет важное значение и соответствует диффузии из очень тонкого легированного слоя, расположенного у самой поверхности образца, причем диффузия наружу от образца исключается наличием соответствующей защиты, например слоя оксида.
Рис.11.3.2. Распределение примесей при диффузии из постоянного (а) и ограниченного (б) источников
Следует отметить, что ряд задач диффузии решается при граничных условиях, отличных от вышеописанных. Рассмотрим процесс диффузии, когда поток диффундирующей примеси через поверхность образца отсутствует, т. е. граница является непроницаемой. Обратимся к формуле (11.3.1), описывающей перенос атомов и по существу являющейся формулой для диффузионного потока. Отсутствие потока примесей для всех t0 через поверхность x=0 означает равенство нулю выражения для потока
В
(11.3.11)
где — константа, определяющая скорость прохождения частиц примеси через поверхность образца из его объема.
Функция ошибок
Втабл. 11.3.1 приведены некоторые частные случаи решения одномерного уравнения диффузии.
Рис. 11.3.3. График функции y=erfc(x)exp(x2)
Р
(11.3.12)
Д
(11.3.13)
Рассмотрим некоторые их общие свойства;
erf(0) = 0, erf() = l
Функция ошибок может быть аппроксимирована выражением erf(x)= 1-(a1t+a2t2+ a3t3)e-x+(x) (11.3.14)
Таблица 11.3.2
x | erf x | x | erf x |
0,00 | 0,00 | 1,00 | 0,84270 |
0,05 | 0,05637 | 1,05 | 0,86244 |
0,10 | 0,11246 | 1,10 | 0,88021 |
0,15 | 0,16800 | 1,15 | 0,89612 |
0,20 | 0,22270 | 1,20 | 0,91031 |
0,25 | 0,27632 | 1,25 | 0,92290 |
0,30 | 0,32862 | 1,30 | 0,93401 |
0,35 | 0,37938 | 1,35 | 0,94376 |
0,40 | 0,42839 | 1,40 | 0,95229 |
0,45 | 0,47548 | 1,45 | 0,95970 |
0,50 | 0,52050 | 1,50 | 0,96611 |
0,55 | 0,56332 | 1,55 | 0,97162 |
0,60 | 0,60386 | 1.60 | 0,97635 |
0,65 | 0,64202 | 1,65 | 0,98038 |
0,70 | 0,67780 | 1,70 | 0,98379 |
0,75 | 0,71116 | 1,75 | 0,98667 |
0,80 | 0,74210 | 1,80 | 0,98909 |
0,85 | 0,77067 | 1,85 | 0,99111 |
0,90 | 0,79691 | 1,90 | 0,99279 |
0,95 | 0,82089 | 1,95 | 0,99418 |
|
| 2,00 | 0,99532 |
t=1/(1+px); | (x) | < 2,5 * 10-5
р = 0,47047; а1=0,3480242; а2= -0,0958798; a3 = 0,7478556.
В табл. 11.3.2 приведены значения функции ошибок.
- 11.3. Диффузия
- 11.3.1. Общие положения
- 11.3.2. Модели диффузии в кристалле
- 11.3.3. Физические основы процессов диффузии
- 11.3.4. Влияние технологических факторов на процесс диффузии
- 11.3.5. Диффузия из легированных оксидов
- 11.3.6. Диффузия в поликристаллическом кремнии
- 11.3.7. Диффузия в слоях арсенида галлия
- 11.4. Литография
- 11.4.1. Общие положения
- 11.4.2. Процесс литографии
- 11.4.3. Оптическая литография
- 11.4.4. Электронно-лучевая литография
- 11.4.5. Другие методы литографии
- 11.5. Ионная имплантация
- 11.5.1. Общие принципы процесса ионной имплантации
- 11.5.2. Распределение пробегов ионов
- 11.5.2 Распределение пробегов ионов
- 11.5.3. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев
- 11.5.4. Влияние технологических факторов
- 11.5.5. Тенденции развития процесса ионной имплантации
- 11.6. Эпитаксия
- 11.6.1. Основные положения и классификация. Принципы сопряжения решеток
- 11.6.2. Эпитаксия из газовой фазы
- 11.6.3. Выращивание гетероэпитаксиальных пленок кремния
- 11.6.4. Кремний на аморфной подложке
- 11.6.5. Некоторые свойства кремниевых эпитаксиальных пленок
- 11.6.6. Дефекты в эпитаксиальных структурах
- 11.6.7. Выращивание эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений типа аiiibv
- 11.6.8. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- 11.6.9. Тенденции развития эпитаксиальной технологии
- 11.7. Нанесение пленок
- 11.7.1. Нанесение пленок в вакууме
- 11.7.2. Распыление материалов
- 11.7.3. Окисление