11.6.9. Тенденции развития эпитаксиальной технологии
Эпитаксия, как технологический процесс, несомненно остается неотъемлемой частью производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Этот процесс позволяет получать профили легирования, которые невозможно обеспечить иным путем. Со временем будут широко использоваться автоэпитаксиальные кремниевые структуры. Однако для разработки схем с высокими плотностью элементов и быстродействием необходимо воспользоваться преимуществами КНИ-технологии, метода направленной боковой кристаллизации. Использование МЛЭ в производстве СБИС с применением ионного легирования позволит существенно улучшить параметры приборов. Продолжительность высокотемпературных операций при производстве СБИС невелика, что позволяет использовать возможности легирования, предоставляемые МЛЭ.
Наблюдаемая в настоящее время тенденция к уменьшению толщины эпитаксиальных слоев для создания биполярных и униполярных интегральных схем, несомненно, приведет к дальнейшему совершенствованию эпитаксиальной технологии и более глубокому изучению эффекта автолегирования. Значительным достижением было бы получение эпитаксиальных слоев без загрязнений.
- 11.3. Диффузия
- 11.3.1. Общие положения
- 11.3.2. Модели диффузии в кристалле
- 11.3.3. Физические основы процессов диффузии
- 11.3.4. Влияние технологических факторов на процесс диффузии
- 11.3.5. Диффузия из легированных оксидов
- 11.3.6. Диффузия в поликристаллическом кремнии
- 11.3.7. Диффузия в слоях арсенида галлия
- 11.4. Литография
- 11.4.1. Общие положения
- 11.4.2. Процесс литографии
- 11.4.3. Оптическая литография
- 11.4.4. Электронно-лучевая литография
- 11.4.5. Другие методы литографии
- 11.5. Ионная имплантация
- 11.5.1. Общие принципы процесса ионной имплантации
- 11.5.2. Распределение пробегов ионов
- 11.5.2 Распределение пробегов ионов
- 11.5.3. Отжиг дефектов ионно-имплантированных слоев
- 11.5.4. Влияние технологических факторов
- 11.5.5. Тенденции развития процесса ионной имплантации
- 11.6. Эпитаксия
- 11.6.1. Основные положения и классификация. Принципы сопряжения решеток
- 11.6.2. Эпитаксия из газовой фазы
- 11.6.3. Выращивание гетероэпитаксиальных пленок кремния
- 11.6.4. Кремний на аморфной подложке
- 11.6.5. Некоторые свойства кремниевых эпитаксиальных пленок
- 11.6.6. Дефекты в эпитаксиальных структурах
- 11.6.7. Выращивание эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений типа аiiibv
- 11.6.8. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- 11.6.9. Тенденции развития эпитаксиальной технологии
- 11.7. Нанесение пленок
- 11.7.1. Нанесение пленок в вакууме
- 11.7.2. Распыление материалов
- 11.7.3. Окисление