Лекция 1 Заполнение зон электронами. Проводники, диэлектрики и полупроводники
Каждая энергетическая зона содержит ограниченное число энергетических уровней. В соответствии с принципом Паули на каждом уровне может разместиться не более двух электронов. При ограниченном числе электронов, содержащихся в твердом теле, заполненными окажутся лишь несколько наиболее низких энергетических зон. По характеру заполнения зон электронами все тела можно разделить на две большие группы.
К первой группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами располагается зона, заполненная лишь частично (рис. а). Такая зона возникает в том случае, когда атомный уровень, из которого она образуется, заполнен в атоме не полностью. Частично заполненная зона может образоваться вследствие наложения заполненных зон на пустые или частично заполненные (рис. б). Наличие зоны, заполненной лишь частично, присуще металлам.
Ко второй группе относятся тела, у которых над целиком заполненными зонами располагаются пустые зоны (рис. в, г). Типичным примером таких тел являются химические элементы IV группы таблицы Менделеева — углерод в модификации алмаза, кремний, германий и серое олово, имеющее структуру алмаза. К этой же группе тел относятся многие химические соединения — окислы металлов, нитриды, карбиды, галогениды щелочных металлов и т. д. Согласно зонной теории твердых тел, электроны внешних энергетических зон имеют практически одинаковую свободу движения во всех телах независимо от того, являются они металлами или диэлектриками. Движение осуществляется путем туннельного перехода электронов от атома к атому. Несмотря на это, электрические свойства этих тел, в частности удельная электропроводность, различаются у них на много порядков.
По ширине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела, имеющие относительно широкую запрещенную зону. У типичных диэлектриков Eg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg — 5,2 эВ; у нитрида бора Eg - 4,6 эВ.
К полупроводникам относят тела, имеющие сравнительно узкую запрещенную зону (рис. г). У типичных полупроводников Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ; у кремния Eg = 1,08 эВ; у арсенида галлия Eg = 1,43 эВ
Диэлектрики:
Запрещенная зона Wg~5эВ; ρ=108÷1018Ом*м;
Металлы:
Запрещенная зона Wg=0; ρ=10-8÷10-6Ом*м;
Полупроводники:
Запрещенная зона Wg~1эВ; ρ=10-6÷107Ом*м;
- Министерство образования рф
- Лекция 1 Заполнение зон электронами. Проводники, диэлектрики и полупроводники
- Собственные полупроводники
- Примесные полупроводники
- Лекция 2 Принципы работы полупроводниковых приборов и их применение Диоды
- Прямое включение: Обратное включение:
- Стабилитроны
- Варикапы
- Светодиоды
- Фоторезисторы
- Люкс-амперная характеристика фоторезистора Фотоэлементы с p-n-переходом
- Фотодиоды
- Упрощенная структура фотодиода и его условное графическое обозначение
- Термоэлектрогенераторы и термоэлектрохолодильники
- Эффект Холла
- Тензорезисторы
- Лекция 3 Механические свойства материалов
- Диаграмма растяжения
- Пластичность и хрупкость. Твердость
- Кривые растяжения материалов: а-хрупкого, б-пластичного
- Способы измерения твёрдости
- Для каждого материала существует установленная госТом сила вдавливания f
- Твёрдость материала по Бринелю рассчитывают исходя из площади отпечатка.
- Влияние энергии химических связей на свойства материалов
- Теоретическая и реальная прочности кристаллов на сдвиг
- Лекция 4 Кристаллизация металлов
- Самопроизвольная кристаллизация
- Кривые охлаждения металла
- Изменение скорости образования зародышей (с. З.) и скорости роста кристаллов (с. Р.) в зависимости от степени переохлаждения
- Несамопроизвольная кристаллизация
- Получение монокристаллов
- Схемы установок для выращивания монокристаллов
- Аморфное состояние металлов
- Термодинамическое обоснование диаграммы состояния сплавов, компоненты которых полностью растворимы в жидком и твердом состояниях Полиморфизм
- Лекция 5 Влияние нагрева на структуру и свойства металлов
- Холодная и горячая деформации
- Термическая обработка металлов и сплавов Определения и классификация
- Нагрев для снятия остаточных напряжений
- Рекристаллизационный отжиг
- Диффузионный отжиг (гомогенизация)
- Лекция 6 Термохимическая обработка Назначение и виды химико-термической обработки
- Цементация
- Цианирование и нитроцементация
- Азотирование
- Диффузионная металлизация
- Алитирование (Al)
- Хромирование (Cr)
- Борирование (b)
- Силицирование (Si)
- Поверхностно-пластическая деформация
- Литье под давлением
- Центробежное литье
- Литье под низким давлением
- Литье выжиманием
- Лекция 8 Конструкционные материалы Общие требования, предъявляемые к конструкционным материалам
- Прочность конструкционных материалов и критерии ее оценки
- Классификация конструкционных материалов
- Стали, обеспечивающие жесткость, статическую и циклическую прочности
- Классификация конструкционных сталей
- Влияние углерода и постоянных примесей на свойства стали
- Диаграмма состояния железоуглеродистых сплавов
- Превращения в сплавах системы железо-цементит
- Диаграмма состояния Fe-Fe3c
- Характерные точки диаграммы состояния железо-цементит
- Углеродистые стали
- Легированные стали
- Лекция 9 Цветные сплавы Медные сплавы
- Свойства промышленных латуней, обрабатываемых давлением
- Сплавы на основе алюминия
- Механические свойства алюминия
- Сплавы на основе магния
- Титан и сплавы на его основе
- Механические свойства иодидного и технического титана
- Лекция 10 Органические полимеры
- Дополнительные компоненты полимерных композиций
- Неполярные и слабополярные термопласты
- Полярные термопласты
- Термореактивные полимеры
- Слоистые пластмассы
- Металлопласты
- Лекция 11 Неорганические материалы
- Кристаллическая решетка графита
- Неорганическое стекло
- Ситаллы
- Керамика
- Лекция 12 Композиционные материалы Композиционные материалы с металлической матрицей
- Композиционные материалы с неметаллической матрицей
- Бороволокниты
- Органоволокниты
- Список литературы