Электроника2013 / Конспект лекций / Лекция 10
Метод ионного легирования
Ионное легирование сводится к бомбардировке в вакууме нагретой полупроводниковой пластины ионами примеси, ускоренными до определенной скорости. Ионы, внедрившиеся в полупроводниковую пластину, играют роль донорных или акцепторных примесей. Это позволяет, не прибегая к процессу диффузии, получать зоны, имеющие определенный тип электропроводности. Такую технологию называют ионной.
В настоящее время в производстве полупроводниковых приборов используют ионную имплантацию – легирование примесями одного из изотопов бора. При этом для маскирования используют или тонкий слой алюминия, или толстый слой диоксида кремния.
-
Содержание
- P-nпереход
- Определение и классификация p-n переходов
- Определение
- Классификация переходов
- Технология производства p-nперехода
- Получение заготовок и очистка
- Сплавной метод
- Электрохимический метод
- Диффузионный метод
- Метод эпитаксиального наращивания
- Метод ионного легирования
- Метод вакуумного напыления
- Метод катодного распыления
- Метод электролитического и химического осаждения
- Метод выращивания кристалла
- Планарная технология
- Изготовление точечных переходов