3.5 Выбор и обоснование элементной базы, конструктивных элементов, установочных изделий, материалов конструкции и защитных покрытий, маркировки деталей и сборочных единиц

В изделии применяется следующая элементная база:

· линейный стабилизатор напряжения LM7805, выходное напряжение 5В, производства фирмы Fairchild Semiconductors, изготавливается в корпусе TO-220, для монтажа в отверстия

· микросхема-контроллер ATmega328P-PN, производства фирмы Atmel, изготавливается в корпусе PDIP, для монтажа в отверстия

· микросхема-драйвер семисегментных индикаторов SN54246, производства фирмы Texas Instruments, изготавливается в корпусе PDIP, для монтажа в отверстия

· тиристор MAC15A8, производства фирмы ON Semi, изготавливается в корпусе TO-220, для монтажа в отверстия

· оптореле с тиристорным выходом MOC3061, производства фирмы Motorola, изготавливается в корпусе 730A-04, для монтажа в отверстия

· диодный мост VS-GBPC3508W, 10 А, 600 В

· предохранитель плавкий C630, 1 А, 250 В

· чип-резисторы CF-100, 1 Вт, номиналом 330 Ом и 1 кОм, точность ±5%, для монтажа в отверстия

· переменный резистор-потенциометр 16T1-B10K, номиналом 10 Ком, для монтажа в отверстия

· конденсаторы К78-17 пусковые, 10 мкФ±20%, 600 В

· ниобиевые оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53-4, полярные, герметичные в металлическом корпусе, 100 нФ 16 В, для монтажа в отверстия

· чип-конденсаторы 22 пФ±20%, 6 В, производства фирмы Murata, изготавливаются в корпусе типоразмера 0805, для печатного монтажа

· трансформатор MMAWCIWW производства фирмы Wurth Electronik, индуктивность 2,8 мГн, коэффициент трансформации 1±0,1

· пьезодинамик SCS-17-S

· диод АЛ307БМ светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный, красный, длина волны излучения 655 нм, яркость 0,9 мКд

· индикатор семисегментный АЛС324Б1, красный, длина волны излучения 660 нм, 0,45 мКд

· резонатор кварцевый 10 МГц, производства фирмы Geyer

· кнопка тактовая TS-A6PS-130

· соединители тип 70553, производства фирмы Molex, 3 А, 200 В.