logo search
РМ текст лекций

Контрольные вопросы к разделу Полупроводниковые материалы

  1. К полупроводниковым материалам относят материалы, у которых ширина запрещенной зоны:

а) Больше 3 эВ

б) Меньше 3 эВ

в) Лежит в пределах от 3 до 8 эВ (+)

  1. В общем случае электропроводность полупроводников обусловлена дрейфом:

а) Электронов и дырок (+)

б) Электронов

в) Электронов и ионов

  1. В собственных полупроводниках:

а) n>p

б) n<p

в) n=p, где n и p и концентрация, соответственно электронов и дырок (+)

  1. При введении в монокристалл кремния примеси с валентностью больше 4 получим:

а) Кремний p-типа

б) Собственный кремний

в) Кремний n-типа (+)

  1. Мышьяк и бор в кремнии являются соответственно:

а) Акцепторной и донорной примесью

б) Донорной и акцепторной примесью (+)

в) Акцепторной примесью

г) Донорной примесью

  1. Могут ли выполнять роль доноров или акцепторов дефекты кристаллической решетки:

а) Да, могут (+)

б) Нет, они лишь уменьшают удельное электрическое сопротивление полупроводников.

в) Могут, но только в полупроводниковых соединениях.

  1. С ростом температуры удельная электропроводность полупроводниковых материалов:

а) Растет по экспоненте (+)

б) Растет по линейному закону

в) Уменьшается

  1. Вид температурной зависимости удельной электропроводности полупроводников зависит от степени их легирования?

а) Да, зависит (+)

б) Нет, не зависит

в) Зависимость выражена очень слабо

  1. В слаболегированных полупроводниках зависимость электропроводности от температуры (Т) определяется в основном зависимостью:

а) Подвижностью носителей заряда от Т

б) Концентрации носителей заряда от Т (+)

в) Электропроводность не зависит от Т

  1. В области низких температур удельная электропроводность слаболегированных полупроводников соответствует:

а) Собственной электропроводности

б) Смешанной электропроводности

в) Примесной электропроводности (+)

  1. В области высоких температур электропроводность растет вследствие:

а) Увеличения подвижности носителей заряда

б) Увеличения концентрации собственных носителей заряда (+)

в) Увеличения концентрации носителей заряда за счет ионизации примесей.

  1. Подвижность электронов в полупроводниках: